26. 9. 2018 Jan Kunc (Fyzikální ústav MFF UK): Epitaxní grafén na SiC: Úvod do teorie a aplikace v laditelné elektronice Abstrakt: Grafén je dvoudimenzionální alotrop uhlíku vykazující řadu vlastností zajímavých jak pro studium základních fyzikálních vlastností pevných látek, tak využitelných v nových elektronických či optoelektronických aplikacích. Ve své přednášce nejdříve uvedu vznik unikátní pásové struktury grafénu, objasním původ pseudospinu, Berryho fázi, zmíním způsob, jakým se z hmotných fermionů popisovaných Schrodingerovou rovnicí stanou nehmotné Diracovy fermiony a nastíním odvození Landauových hladin v jednovrstvém grafénu. V části přednášky věnované experimentálnímu studiu grafénu zmíním metody přípravy grafénu a zaměřím se na epitaxní grafén připravovaný termální dekompozicí karbidu křemíku. Zde se budu věnovat přípravě vrstevnatých struktur karbidu křemíku umožňujících ladění Fermiho meze v grafénu pomocí zadního hradla. Taktéž se budu věnovat interkalování grafénu vodíkem, vlivu vodíku na hustotu povrchových stavů a na fixování Fermiho meze při elektrostatickém hradlování.