Výtah z činnosti Laboratoře tenkých vrstev a nanostruktur v roce 1997
Postup prací a metodika práce při řešení projektu
Laboratoř tenkých vrstev a nanostruktur (dále LTVN) zaměstnávala v roce 1997 čtyři
nově přijaté pracovníky (B. Handlířová, J. Hora, P. Mikulík a A. Nebojsa).
Protože P. Mikulík získal stipendium Lise Meitnerové pro práci na univerzitě v
Linci a B. Handlířová nastoupila v závěru roku mateřskou dovolenou, byli pro práci
v LTVN angažováni dva doktorandi - J. Grim a J. Šik. Činnosti LTVN se dále
účastnili čtyři pracovníci přírodovědecké fakulty (V. Holý, J. Humlíček, K.
Navrátil a D. Munzar). D. Munzar nastoupil v září roku 97 roční stáž v Ústavu
Maxe Plancka ve Stuttgartu jako stipendista Humboldtovy nadace. Oba stážisté
(Mikulík a Munzar) pracují v zahraničí na problémech velmi blízkých zaměření
laboratoře, jsou v neustálém styku s LTVN a podílejí se na její publikační
činnosti. Celý vědecký tým využívá rozsáhlých domácích a mezinárodních kontaktů
dokumentovaných níže.
Rozdělení úkolů a koordinace činnosti jednotlivých členů týmu vychází z návrhu
projektu. Podle plánu jsou ve strukturních studiích zaangažováni především P.
Mikulík a V. Holý; v experimentální práci je v průběhu roku doplnil J. Grim.
Úkoly členů rentgenostrukturní skupiny byly směrovány jak do zlepšování metodiky a
aparatur, tak do konkrétních fyzikálních úloh. V experimentálních optických
studiích se angažovali hlavně B. Handlířová, J. Hora, A. Nebojsa, J. Šik, K.
Navrátil a J. Humlíček. Ve zlepšování optických metodik LTVN pracovali zejména A.
Nebojsa, J. Hora, K. Navrátil a J. Humlíček. V teorii elektronové struktury a
teoretické interpretaci optických spekter pracovali D. Munzar a J. Humlíček.
Při studiu několika systémů, především vrstev Si/SiGe a Cu-CuPc, došlo k
intenzivní kooperaci mezi oběma skupinami a důsledné korelaci strukturních a
optických dat. V nejpokročilejším stadiu je spolupráce na vrstvách Cu-CuPc, jejíž
výsledky budou publikovány v příštím roce.
Podle projektu došlo v roce 1997 k dalšímu podstatnému zlepšení přístrojového
vybavení. V rentgenové laboratoři byly dokončeny práce na instalaci rtg aparatur
s vysokou intenzitou primárního svazku. Protože byly pořízeny finančně náročné
komponenty a jejich spojením vzniklo unikátní zařízení, popíšeme aparatury
podrobněji. Klíčovými celky jsou:
- rtg generátor SIEMENS slouží jako zdroj rtg záření pro nový rtg reflektometr.
Generátor byl zakoupen včetně rtg lampy, jejího krytu a vn kabelu. Z finančních
důvodů jsme nezakoupili celou skříň goniometru, tato skříň byla postavena
svépomocí (viz níže). Ve srovnání s dosavadními rtg zdroji (rtg generátory
Mikrometa), je generátor Siemens mnohem stabilnější a umožňuje asi 2x větší výkon
rentgenky při menší velikosti ohniska.
- rtg goniometer HUBER je jádrem nového reflektometru. Byl zakoupen včetně
krokových motorů a elektronické jednotky jejich řízení. Součástí dodávky byla
goniometrická hlavička pro monochromátor a troje justovatelné přesné štěrbiny.
- rtg parabolické multivrstevné zrcadlo OSMIC slouží v novém reflektometru jako
monochromátor a kolimátor. Jedná se o unikátní optický element, jehož použitím
získáme kvasimonochromatický rtg svazek s divergencí asi 1 min a s intenzitou o
několik řádů větší než je možné získat krystalovými monochromátory.
- polohově citlivý rtg detektor BRAUN se užívá ve stávajícím rtg reflektometru
pro měření směrového rozložení difuzně rozptýlené rtg vlny. Jeho použitím se
měření podstatně zrychlilo a je teď možné měřit mapy difuzně rozptýlené intenzity
v reciprokém prostoru za několik hodin.
- scintilační rtg detektor CANBERRA-PACKARD je opatřen mnohakanálovým
analyzátorem pulzů. Ve srovnání se standardními detektory tento detektor vyniká o
řád nižší úrovní šumu, což zvyšuje dynamický rozsah měřené intenzity.
- scintilační rtg detektor RADICON se používá v novém rtg reflektometru pro
běžná měření intenzity. Má dostatečný dynamický rozsah a veškerá jeho elektronika
je umístěna na jedné kartě do PC.
Mechanická konstrukce reflektometru byla navržena v naší laboratoři a realizována
vlastními prostředky. Jednalo se o následující mechanické díly: držák rtg lampy
a rtg zrcadla, který umožňuje přesnou justáž zrcadla (natáčení s přesností zlomků
úhlové minuty a posuv s přesností několika mikrometrů). Držák dále obsahuje
Sollerovu clonu snižující vertikální divergenci primárního rtg svazku. Držák
vzorku byl zkostruován tak, že umožňuje motorický posuv vzorku, jeho náklon a
připevnění pomocí podtlaku. K tomu bylo zkonstruováno jednoduché zařízení na
základě malého kompresoru a čidla podtlaku. Rameno rtg detektoru bylo opatřeno
sekundárním monochromátorem, soustavou justovatelných clon a motorizovanou sérií
absorpčních filtrů. Monochromátor byl realizován dvojící rtg zrcadel vyrobených
na zakázku v ÚPT AV ČR magnetronovým naprašováním. Důležitou součástí
reflektometru je jeho skříň s posuvnými skleněnými stěnami, která umožňuje
bezpečnou práci se zařízením. Bylo též nutné upravit elektronickou část rtg
generátoru tak, aby umožňoval dálkové ovládání okénka rtg lampy. Přídavné
elektronické zařízení bylo realizováno v LTVN.
V současné době je reflektometr v plném provozu. Byly dosaženy zamýšlené provozní
parametry, zejména úhlové rozlišení kolem 100 úhlových vteřin a intenzita v
primárním svazku. Tato intenzita dosahuje při polovičním výkonu v rtg lampě
(900W) a průřezu svazku 0.13x4 mm^2 asi 2.5x10^7 cps v místě vzorku, což je téměř
o 2 řády více než u stávajícího zařízení. Intenzita primárního svazku v novém
reflektometru je přibližně stejná jako intensita dosahovaná pomocí rtg zdroje s
rotační anodou, cena zdroje s rotační anodou je ovšem řádově vyšší, než náklady na
náš reflektometr. Úhlové rozlišení dosahované naším zařízením je ovšem asi 10x
horší, pro studium velmi tenkých vrstev (50 nm a tenčí) je toto rozlišení plně
dostatečné. Základním optickým dílem, díky němuž byla tato vysoká intenzita
dosažena, je parabolické multivrstevné rtg zrcadlo. Podle našich informací, nebyl
dosud tento optický element v ČR použit v zařízeních pro měření rtg rozptylu.
Potvrdilo se také, že reflektometr může pracovat bez obsluhy po několik dní, jeho
mechanická stabilita tedy umožňuje dlouhodobá měření. Dosavadní rtg reflektometr
byl provozován pomocí řídícího software již dříve vyvinutého v naší laboratoři.
Nový reflektometr provozujeme s týmž software, do něhož byly vloženy nové části
umožňující ovládání goniometru HUBER, sběr dat a ovládání scintilačních detektorů
RADICON a CANBERRA-PACKARD a polohově citlivého detektoru BRAUN. Tyto části byly
vyvinuty vlastními silami v LTVN. Nový rtg reflektometr byl uváděn do provozu
postupně, v plném provozu je od srpna 1997.
V optických laboratořích bylo dosaženo následujících pokroků v metodice a
instrumentaci:
- Byl dodán a spuštěn Ramanovský přístavek FRA 106/S k Fourierovskému
infračervenému spektrometru IFS 55. Jeho součástí je speciální vysoce citlivý
germaniový detektor D418-SU. Z prostředků LTVN byla k přístavku FRA zakoupena
polarizační souprava. Nadstandardní výbavou je také motorizovaný posuv vzorku ve
třech osách, umožňující mapování laterálně nehomogenních struktur. Dále je k
dispozici speciální adaptér pro montáž dusíkového kryostatu s dedikovaným
objektivem a parabolické zrcadlo pro vodorovné uchycení vzorků. Tato zlepšení
byla pořízena z jiných grantových prostředků. Ramanovský přístavek doplnil
stávající základní spektrometr pro transmisi a reflexi a jeho elipsometrickou
extenzi na unikátní komplex.
- Infračervený spektrometr IFS55 byl doplněn přístavkem pro měření difuzní
reflexe P/A firmy Graseby Specac dovolující měřeni v MIR oblasti na nezrcadlových
površích.
- Elipsometrická část FTIR komplexu byla v průběhu roku 97 inovována tak, aby
umožňovala měření při malých úhlech dopadu světla bez dosavadních pomocných
zrcadel. Všechna měření s polarizovaným světlem (reflexní, transmisní i
elipsometrická) je nyní možno ve střední infračervené oblasti provádět s tandemy
polarizátorů v polarizační i analyzátorové větvi. Tím byla prakticky odstraněna
nutnost korekcí nedokonalosti polarizátorů v obtížném spektrálním oboru. Pro
nákup chybějících drátových polarizátorů byly použity jiné grantové prostředky.
- Optická aparatura s mnohakanálovou vláknovou detekcí byla modifikována a
opatřena vyhřívaným držákem vzorků do teplot kolem 500K. Umístění zdroje světla a
detektoru na vysoce přesném goniometru dovoluje využívat aparaturu v několika
různých módech měření. Průběžně je doplňován software pro měření a zpracování
dat, od základní úrovně čtení signálů z jednotlivých detekčních diod po účelnou
prezentaci spekter. V současné době je možné efektivně sledovat i poměrně rychlé
procesy změn povrchu při zahřívání a chladnutí vzorků.
- Disperzní spektrální elipsometr byl vyzkoušen v blízké infračervené oblasti s
náhradou obvyklého křemíkového detektoru germaniovou nebo InGeAs diodou. Tím byl
rozšířen pokrytý spektrální obor do zhruba 1.7 mikronu a umožněno např. sledování
odezvy volných elektronů ve vodivých vrstvách nitridů kovů.
- Univerzální disperzní optický spektrometr pro modulační měření byl inovován
tak, že byl nahrazen dosavadní analogový dělicí voltmetr. Dvoukanálové měření a
snímání podílu modulované a nemodulované složky signálu je nyní plně
digitalizováno a je přesnější a spolehlivější. Použitý digitální voltmetr
dovoluje navíc přesné a spolehlivé měření teploty vzorku a její regulaci během
měření.
- Komerční spektrometr Varian Cary 5E pořízený v r. 96 byl vybaven sadou
přípravků pro měření reflexe a transmise vzorků, jejichž velikost a tvar jsou
prakticky libovolné. V současné době je k dispozici i měření s kapalinovými
kyvetami. Tím se podstatně rozšířily jeho možnosti při kvantitativním srovnávání
optické odezvy tenkovrstevných forem materiálů a roztoků. Interval úhlů dopadu v
reflexních měřeních je v současné době od 10 do 60 stupňů. Přístroj byl dále
vybaven polarizátory. Reflexní přístavky a polarizátory jsou použitelné jak v
tomto spektrometru, tak v IFS 55. Spektrometr byl dále vybaven reflektometrem,
Graseby Specac, který dovoluje měření absolutní reflexe vzorků bez etalonního
zrcadla. Měřicí program pracuje nově v operačním systému OS/2.
Výsledky plynoucí z práce laboratoře
Práce, které byly otištěny v časopisech nebo byly k publikaci přijaty:
- V. Holý, C. Giannini, L. Tapfer, T. Marschner, and W. Stolz, "Diffuse X-ray
reflection from multilayers with stepped interfaces", Phys. Rev. B 55, 9960
(1997).
- P. Mikulík and T. Baumbach, "X-ray reflection by multilayer surface
gratings", Physica B, přijato k publikaci.
- O. Litzman, P. Mikulík and P. Dub, "Dynamical theory of diffraction of
neutrons for positive and negative scattering lengths", J. Phys (UK), přijato k
publikaci.
- M. Moško, D. Munzar, and P. Vagner, "Excitonic effects in free-standing
ultrathin GaAs films", Phys. Rev. B 55, 15416 (1997).
- D. Munzar, E. Dobročka, et al.,"Antiphasing mechanism of ordered GaInP layers
grown on GaAs (001)", přijato k publikaci v Phys. Rev. B.
- P. Vagner, D. Munzar, and M. Moško, "Calculation of excitonic absorption
spectrum of a GaAs quantum wire free-standing in vacuum", Acta Phys. Pol.,
přijato k publikaci.
- A.A. Darhuber, P. Schittenhelm, V. Holý, J. Stangl, G. Bauer, and G.
Abstreiter, "High-resolution x-ray diffraction from multilayered self-assembled Ge
dots", Phys. Rev. B 55, 15652 (1997).
- A.A. Darhuber, V. Holý, et al., "Lateral and vertical ordering in
multilayered self-organized InGaAs quantum dots studied by high-resolution x-ray
diffraction", Appl. Phys. Lett. 70, 955 (1997).
- A.A. Darhuber, V. Holý, et al., "High-resolution x-ray diffraction and
reflectivity studies of vertical and lateral ordering in multiple self-organized
InAs quantum dots", Jpn. J. Appl. Phys. 36, 4084 (1997).
- B. Handlířová, J. Humlíček, L. Bočánek, T. Nguen Manh, and H. Sitter,
"Thermally modulated optical response of C60 thin films in the region of
absorption edge", přijato k publikaci v IWEPNM Kirchberg, Springer, 1997.
- J. Humlíček, "Ellipsometric study of Fano resonance in heavily doped p-type
Si and SiGe alloys", Thin Solid Films, přijato k publikaci.
- J. Humlíček, "Infrared ellipsometry of LiF", Thin Solid Films, přijato k
publikaci.
- E. Bortchagovsky, Y. Yurchenko, Z. Kazantseva, J. Humlíček, and J. Hora,
"Spectroscopic ellipsometry of fullerene embedded Langmuir-Blodgett films with
surface plasmon excitation", Thin Solid Films, přijato k publikaci.
- A. Kučírková, K. Navrátil, and J. Zemek, "Depth inhomogeneity of deposited
thin films: application to semi-insulating polycrystalline silicon films", Thin
Solid Films, přijato k publikaci.
Práce zaslané nebo připravené k zaslání:
- P. Mikulík and T. Baumbach, "X-ray reflection by rough multilayer gratings,
Part I: Dynamical and kinematical scattering", zasláno do Phys. Rev. B.
- K. Navrátil, J. Šik, J. Humlíček, and S. Nešpůrek, "Optical response of
polysilylene", připraveno pro Optical Materials.
- A. Nebojsa, J. Hora, J. Humlíček, M. Stráský, J. Spousta, and T. Šikola,
"Ellipsometry and transport studies of thin-film metal nitrides", International
Conference on Metal Coatings and Thin Films 98, zasláno.
- V. Holý, A.A. Darhuber, J. Stangl, G. Bauer, J. Nuetzel, and G. Abstreiter,
"X-ray reflectivity investigations of the inteface morphology in strained SiGe/Si
multilayers described by a kinetic step-flow growth model", zasláno do Phys. Rev.
B.
Referáty na konferencích, seminářích a školách:
V. Holý, "X-ray reflection of rough surfaces", pozváno do semináře univerzity
v Jeně, květen 1997.
V. Holý, "High-resolution x-ray diffractometry of self-assembled quantum
dots", pozváno do semináře univerzity v Mnichově, červenec 1997.
J. Šik, J. Hora a J. Humlíček, "Optické konstanty křemíku pro teploty
300-1200K", Konference Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a
aplikacích, Brno, červen 1997.
J. Humlíček, "Optical properties of low-dimensional structures", pozvaná
přednáška na Autumn School on Advanced Semiconductors: Formation, Properties and
Characterization of Nanoscale Structures", MPI, Halle/Saale, Sep. 20-25, 1997.
J. Grim, "Diffuse x-ray reflectivity of strain-compensated SiGe/SiC
multilayers", 3rd Autumn School on X-ray scattering from surfaces and thin layers,
Smolenice, říjen 1997.
K. Navrátil, J. Šik, J. Humlíček a S. Nešpůrek, "Optická odezva
polysilylenů", 3. seminář Fyzika a chemie molekulárních systémů, Brno, listopad
1997.
Organizace odborných setkání:
- Konference "Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a
aplikacích", Brno, červen 1997.
- Podzimní škola "3rd Autumn school on X-ray scattering from surfaces and thin
layers", Smolenice, Slovensko, říjen 1997.
Spolupráce s domácími a mezinárodními institucemi:
- Ústav fyzikálního inženýrství VUT Brno; depozice tenkých vrstev metodami IBAD,
ex- a in-situ elipsometrie.
- Ústav přístrojové techniky AV ČR Brno; naprašované kovové multivrstvy.
- Fyzikální ústav AV ČR Praha; MOCVD vrstvy III-V, kompozity Cu - ftalocyanin.
- Ústav makromolekulární chemie AV ČR Praha; vrstvy polysilylenů.
- Elektrotechnický ústav SAV Bratislava; struktura multivrstev, spontánní uspořádávání ve strukturách III-V, elektronová stavba nízkorozměrných struktur.
- Keplerova univerzita Linec; rtg rozptyl na nanostrukturách, vrstvy C60.
- Ústav Maxe Plancka Stuttgart; optická spektroskopie, elektronová a fononová struktura krystalů.
- Univerzita Twente; in-situ elipsometrie, vysokoteplotní spektra Si.
- ATKI Budapest; elipsometrické výpočty.
- Ústav polovodičů AV Ukrajiny Kijev; elipsometrie, vrstvy C60.